הויפּט טעכניש פּאַראַמעטערס
| זאכן | קעראַקטעריסטיקס | |
| טעמפּעראַטור קייט (℃) | -40(-25)℃~+85℃ | |
| וואָולטידזש קייט (V) | 200 〜500 וו.דק | |
| קאַפּאַסיטאַנס קייט (uF) | 1000 〜22000uF (20℃ 120Hz) | |
| קאַפּאַסיטאַנס טאָלעראַנץ | ± 20% | |
| ליקאַדזש קראַנט (מאַ) | <0.94מאַ אָדער 0.01 קוו, 5 מינוט פּרובירן ביי 20 ℃ | |
| מאַקסימום DF (20 ℃) | 0.18 (20 ℃, 120 הז) | |
| טעמפּעראַטור קעראַקטעריסטיקס (120 הז) | 200-450 C(-25℃)/C(+20℃)≥0.7; 500 C(-40℃)/C(+20℃)≥0.6 | |
| ינסאַלייטינג קעגנשטעל | די ווערט געמאסטן דורך אַפּלייינג דק 500 וו ינסאַליישאַן קעגנשטעל טעסטער צווישן אַלע טערמינאַלס און קנאַקן רינג מיט ינסאַלייטינג אַרבל = 100mΩ. | |
| ינסאַלייטינג וואָולטידזש | צולייגן אַק 2000 וו צווישן אַלע טערמינאַלס און קנאַקן רינג מיט ינסאַלייטינג אַרבל פֿאַר 1 מינוט און קיין אַבנאָרמאַלאַטי אויס. | |
| ענדעראַנס | אָנווענדן רייטאַד ריפּאַל קראַנט אויף קאַפּאַסאַטער מיט וואָולטידזש נישט מער ווי רייטאַד וואָולטידזש אונטער 85 ℃ סוויווע און צולייגן רייטאַד וואָולטידזש פֿאַר 6000 שעה, דעמאָלט צוריקקריגן צו 20 ℃ סוויווע און די פּרובירן רעזולטאַטן זאָל באַפרידיקן די רעקווירעמענץ ווי אונטן. | |
| קאַפּאַסיטאַנס ענדערונג קורס (△C) | ≤ ערשט ווערט 土 20% | |
| DF (טגδ) | ≤200% פון ערשט ספּעסיפיקאַטיאָן ווערט | |
| ליקאַדזש קראַנט (LC) | ≤ ערשט ספּעסיפיקאַטיאָן ווערט | |
| שעללייף | קאַפּאַסאַטער געהאלטן אין 85 ℃ סוויווע פבר 1000 שעה, דעמאָלט טעסטעד אין 20 ℃ סוויווע און די פּרובירן רעזולטאַט זאָל באַפרידיקן די באדערפענישן ווי אונטן. | |
| קאַפּאַסיטאַנס ענדערונג קורס (△C) | ≤ ערשט ווערט ± 20% | |
| DF (טגδ) | ≤200% פון ערשט ספּעסיפיקאַטיאָן ווערט | |
| ליקאַדזש קראַנט (LC) | ≤ ערשט ספּעסיפיקאַטיאָן ווערט | |
| (וואָולטידזש פּרעטרעאַטמענט זאָל זיין געטאן איידער פּרובירן: צולייגן רייטאַד וואָולטידזש אויף ביידע ענדס פון קאַפּאַסאַטער דורך אַ רעסיסטער פון וועגן 1000Ω פֿאַר 1 הרס, דעמאָלט אָפּזאָגן עלעקטרע דורך 1Ω/V רעסיסטער נאָך פּרעטרעאַטמענט. פּרובירן.) | ||
פּראָדוקט דימענשאַנאַל צייכענונג
| ד (מם) | 51.00 | 64.00 | 77.00 | 90.00 | 101.00 |
| פּ (מם) | 22.00 | 28.30 | 32.00 | 32.00 | 41.00 |
| שרויף | M5 | M5 | M5 | M6 | M8 |
| טערמינאַל דיאַמעטער (מם) | 13.00 | 13.00 | 13.00 | 17.00 | 17.00 |
| טאָרשאַן (נם) | 2.20 | 2.20 | 2.20 | 3.50 | 7.50 |
י-שייפּט קנאַקן רינג
עק זייַל פֿאַרזאַמלונג און דימענשאַנז
| דיאַמעטער (מם) | א (מם) | ב (מם) | אַ (מם) | ב (מם) | ה (מם) |
| 51.00 | 31.80 | 36.50 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
| 64.00 | 38.10 | 42.50 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
| 77.00 | 44.50 | 49.20 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
| 90.00 | 50.80 | 55.60 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
| 101.00 | 56.50 | 63.40 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
ריפּאַל קראַנט קערעקשאַן פּאַראַמעטער
אָפטקייַט פאַרגיטיקונג קאָואַפישאַנט
| אָפטקייַט | 50 הז | 120 הז | 300 הז | 1כהז | ≥10kHz |
| קערעקשאַן פאַקטאָר | 0.7 | 1 | 1.1 | 1.3 | 1.4 |
טעמפּעראַטור פאַרגיטיקונג קאָואַפישאַנט
| טעמפּעראַטור (℃) | 40℃ | 60℃ | 85℃ |
| קאָואַפישאַנט | 1.89 | 1.67 | 1 |
באָלט-טיפּ אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערזזענען אויך קאַמאַנלי געניצט קאַפּאַסאַטערז.קאַמפּערד מיט האָרן-טיפּ אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז, זייער סטראַקטשעראַל פּלאַן איז מער קאָמפּליצירט, אָבער זייער קאַפּאַסאַטאַנס ווערט איז גרעסער און זייער מאַכט איז העכער.די פאלגענדע זענען ספּעציפיש אַפּלאַקיישאַנז פון אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערז פון שטיפט טיפּ:
1. מעטשאַניקאַל עקוויפּמענט: אין מעטשאַניקאַל עקוויפּמענט, קאַפּאַסאַטערז זענען פארלאנגט צו קראָם עלעקטריקאַל ענערגיע און פילטער קראַנט.די הויך קאַפּאַסאַטאַנס ווערט און מאַכט פון דישטיפט טיפּ אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערזמאַכן זיי פּאַסיק פֿאַר פאַרשידן מעטשאַניקאַל עקוויפּמענט, און קענען ווערן גענוצט צו קראָם ענערגיע, אָנהייב מאָטאָרס, פילטער קראַנט און עלימינירן ילעקטראָומאַגנעטיק ינטערפיראַנס, עטק.
2. אַוטאָמאָטיווע עלעקטראָניק: אין אָטאַמאָוטיוו עלעקטראָניק, קאַפּאַסאַטערז זענען פארלאנגט פֿאַר ענערגיע סטאָרידזש און פֿילטרירונג.די הויך מאַכט, הויך וואָולטידזש און הויך טעמפּעראַטור פאָרשטעלונג פוןשטיפט-טיפּ אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערזמאַכן זיי פּאַסיק פֿאַר אָטאַמאָוטיוו עלעקטראָניק, ווו זיי קענען ווערן גענוצט צו קראָם ענערגיע, פילטער, אָנהייב די מאָטאָר, קאָנטראָלירן מאָטאָרס און לייץ, אאז"ו ו.
3. אָפטקייַט קאַנווערטערז: אין אָפטקייַט קאַנווערטערז, קאַפּאַסאַטערז זענען פארלאנגט צו גלאַט די דק מאַכט צושטעלן און קאָנטראָלירן וואָולטידזש און קראַנט.סטוד-טיפּ אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערזזענען פּאַסיק פֿאַר נידעריק-אָפטקייַט, הויך-מאַכט און לאַנג-לעבן ינווערטער פּלאַן, און קענען ווערן גענוצט צו גלאַט וואָולטידזש, קאָנטראָל קראַנט און פֿאַרבעסערן מאַכט פאַקטאָר, עטק.
4. קאָמוניקאַציע ויסריכט: אין קאָמוניקאַציע ויסריכט, קאַפּאַסאַטערז זענען פארלאנגט צו מאָדולירן סיגנאַלז, דזשענערייט אַסאַליישאַנז און פּראָצעס סיגנאַלז.די הויך קאַפּאַסאַטאַנס ווערט און פעסטקייַט פוןשטיפט-טיפּ אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערזמאַכן זיי פּאַסיק פֿאַר קאָמוניקאַציע ויסריכט, ווו זיי קענען זיין גענוצט צו מאָדולירן סיגנאַלז, דזשענערייט אַסאַליישאַנז און פּראַסעסינג סיגנאַלז, אאז"ו ו.
5. מאַכט פאַרוואַלטונג: אין מאַכט פאַרוואַלטונג, קאַפּאַסאַטערז זענען געניצט צו פילטער, קראָם ענערגיע און קאָנטראָל וואָולטידזש.סטוד-טיפּ אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערזקענען ווערן גענוצט פֿאַר פֿילטרירונג, סטאָרינג ענערגיע און קאַנטראָולינג וואָולטידזש, און שפּילן אַ וויכטיק ראָלע אין די פּלאַן פון הויך-וואָולטידזש און הויך-מאַכט מאַכט סופּפּליעס.
6. הויך-סוף עלעקטראָניש ויסריכט: אין הויך-סוף עלעקטראָניש ויסריכט, הויך-קוואַליטעט קאַפּאַסאַטערז זענען פארלאנגט צו ענשור זייער פאָרשטעלונג.סטוד-טיפּ אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערזזענען הויך-קוואַליטעט קאַפּאַסאַטערז געניצט אין די פּלאַן פון הויך-סוף אַודיאָ, ווידעא, מעדיציניש און אַוויאָניקס ויסריכט.
צו מאכן א סך הכל,שטיפט טיפּ אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטערזזענען פּאַסיק פֿאַר פאַרשידן עלעקטראָניש דעוויסעס און סערקאַץ, און זייער הויך קאַפּאַסאַטאַנס ווערט, הויך מאַכט, הויך טעמפּעראַטור פאָרשטעלונג און פעסטקייַט מאַכן זיי אַ ינדיספּענסאַבאַל טייל אין די עלעקטראָניק אינדוסטריע.
-
סמד טיפּ פליסיק מיניאַטורע אַלומינום עלעקטראָליטיק ...
-
ילעקטראַליטיק קאַפּאַסאַטער פון אַלומינום ל4ם פון פירן טיפּ
-
ילעקטראָוליטיק קאַפּאַסיטאָרס פון פירן טיפּ אַלומינום לקקס
-
קנאַקן-אין טיפּ פליסיק אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַס ...
-
שפּאָן טיפּ אַלומינום עלעקטראָליטיק קאַפּאַסאַטער וו3מק
-
ראַדיאַל פירן טיפּ מיניאַטורע אַלומינום עלעקטראָליטי ...